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TetraMem 22nm SoC MLX200完成验证,以存内计算开拓低功耗低延迟AI新赛道

   日期:2026-05-27     作者:itcg    浏览:2548    我要评论    
导读:TetraMem 22nm SoC MLX200完成验证,以存内计算开拓低功耗低延迟AI新赛道

近日,硅谷一家专注于人工智能芯片研发的初创企业TetraMem宣布,其基于22纳米制程的SoC芯片MLX200已在台积电完成验证流程,预计将于2026年下半年推出配套评估工具包。这一进展标志着该公司在低功耗AI芯片领域迈出了关键一步。

TetraMem将研发重心聚焦于可穿戴设备、边缘物联网、传感器网络及嵌入式系统等对功耗和延迟极为敏感的场景。为实现这一目标,公司采用"存内计算"技术架构,通过缩短数据传输路径来提升计算效率,使数据处理过程尽可能在存储单元内完成,从而减少能量损耗。

MLX200芯片的独特之处在于其模拟内存计算设计。该芯片集成了多层RRAM(忆阻器)存储阵列与混合信号计算引擎,能够直接利用存储介质中的物理特性执行向量矩阵乘法运算——这正是神经网络推理的核心计算任务。这种架构使得芯片在保持低功耗的同时,实现了高吞吐量的数据处理能力。

据技术文档显示,这种创新设计通过消除传统冯·诺依曼架构中数据在存储与计算单元间频繁搬运的瓶颈,显著提升了能效比。特别在需要实时响应的边缘计算场景中,该芯片的运算延迟可控制在毫秒级,同时功耗较传统方案降低数个数量级。

 
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