美光科技移动与客户端业务部门市场副总裁克里斯托弗·摩尔近日在接受外媒采访时指出，受晶圆厂建设周期长、客户认证流程复杂等因素影响，全球存储器市场供应紧张局面预计将持续至2028年之后。这一观点与美光近期公布的产能扩张计划形成印证，凸显半导体行业产能释放的长期性挑战。
根据美光披露的扩产路线图，其纽约州首座晶圆厂将于2030年启动量产，第二座工厂预计2033年投产，第四座工厂则规划在2045年前后建成。在爱达荷州，首座晶圆厂计划2027年开始DRAM生产，第二座工厂的投产时间将早于纽约首厂。摩尔特别强调，新建晶圆厂不仅需要完成基础建设，还需通过客户认证并满足AI领域对制程精度和良率的严苛要求，这些环节都将延长产能爬坡周期。
客户需求的多样性进一步加剧了供应压力。摩尔以消费电子领域为例说明，当苹果等大客户同时订购8GB、12GB和16GB不同规格存储模组时，生产线需要频繁调整配置，这种切换过程显著降低了整体生产效率。他坦言，即便新工厂按计划投产，短期内也难以缓解当前的市场短缺状况。
AI技术的爆发式增长正在重塑存储器市场格局。摩尔透露，数据中心和企业级存储需求在美光业务中的占比已从30%-35%跃升至50%-60%，成为驱动业绩增长的核心动力。为应对这一趋势，美光已调整产品战略，外媒Tom’s Hardware报道称，该公司正逐步退出消费级英睿达(Crucial)品牌运营，将资源集中投向企业级DRAM和SSD领域。
面对中国存储器厂商在DDR5和HBM等高端产品领域的加速布局，美光表现出开放态度。公司发言人表示，区域性竞争有助于推动行业技术进步，这种良性竞争环境将促使美光持续优化产品性能和服务质量，从而巩固其在全球市场的领先地位。当前，美光正通过加大研发投入和优化供应链管理，应对来自新兴市场的挑战。
