AI算力对内存带宽的渴求，让HBM4成为SK海力士、三星与美光争夺下一代AI加速器订单的核心战场。业界最新传出的消息显示，SK海力士第六代高带宽内存HBM4的良率已经跨过70%关口。该公司并未给出官方确认，但这一进展被普遍解读为其量产爬坡进入平稳阶段的标志。
良率数字为何如此重要？HBM属于高难度堆叠封装产品，制造环节的容错空间极为有限，业内普遍把70%视作HBM4量产进程中的一个关键节点。在同等生产投入下，良率从60%提高到70%，合格品的产出量可以多出约16.7%，产能释放节奏与成本控制水平都会随之受益。
从规格上看，SK海力士这代产品的参数相当激进：DRAM单颗密度最高做到24Gb，I/O通道数量达到2048个，单堆叠带宽突破2TB/s；若采用16层堆叠方案，容量最高可到48GB。与上一代HBM3E相比，新品的功耗效率高出40%以上，耐热性能的改善幅度也在14%以上。
单颗封装之内，硅通孔的数量在2万个以上，底部的微凸点也多达1.6万余个，集成密度可见一斑。
竞赛另一端的进展同样迅速。三星的HBM4良率据传已逼近80%，并且在2026年8月就提前完成了原定年底才要达成的目标。
美光给出的说法则是，其HBM4的产能爬坡速度达到上代HBM3 12层产品的两倍，良率改善节奏更快，产品将搭载于英伟达下一代Vera Rubin平台。
