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三大存储原厂2027年DRAM与HBM产能售罄,手机PC业者DRAM配额或锐减

   日期:2026-08-04     作者:itcg    浏览:1571    我要评论    
导读:三大存储原厂2027年DRAM与HBM产能售罄,手机PC业者DRAM配额或锐减

存储芯片市场正经历新一轮供需格局剧变。据行业消息,三星电子、SK海力士及美光科技三大存储巨头已提前完成2027年常规DRAM与高带宽内存(HBM)的产能分配谈判,相关产能已被下游客户预订一空。这一现象不仅限于高端HBM领域,传统DRAM市场也出现类似趋势,反映出全球半导体供应链的结构性调整。

业内人士透露,此次产能争夺战的直接诱因是2026年曾出现的严重供应短缺。为避免重蹈覆辙,下游企业改变了采购策略,将原本集中于HBM的提前预订模式扩展至整个存储芯片领域。值得注意的是,无论是否签订长期供应协议,客户均需配合三大厂商的预付定金机制,这种变化凸显了当前市场的话语权向供应商倾斜的特征。

供需失衡的现状在具体分配中尤为明显。据估算,三大厂商的现有产能仅能满足下游60%至70%的需求,这种缺口在细分领域表现更为突出。由于AI和高性能计算(HPC)应用成为优先保障对象,智能手机和PC制造商获得的DRAM配额将显著缩减。这种结构性倾斜可能对消费电子市场产生连锁反应,迫使相关企业重新评估供应链策略。

NAND闪存市场虽未出现立即售罄的情况,但产能分配谈判也在加速推进。消息人士指出,该领域的2025年产能配额预计将在本月内敲定,显示出整个存储行业都处于紧张的备货状态。这种全产业链的提前布局,既反映了市场对长期需求的乐观预期,也暴露出供应链脆弱性带来的集体焦虑。

 
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