在2026算力中国AI与算力产业展览会的科创路演现场，熵旋芯智创始人兼首席执行官雷坤透露，公司研发的基于MRAM（磁性随机存取存储器）的存算一体架构在能效与成本方面取得突破性进展。该技术相比传统SRAM架构，能耗降低近一个数量级，同时可将AI推理场景下的Token处理成本压缩至原有水平的十分之一。
据雷坤介绍，三星电子在MRAM制程工艺上已实现关键跨越。其8纳米制程的MRAM芯片已进入稳定量产阶段，预计明年将推进至5纳米节点。这一技术迭代为存算一体架构的商业化落地提供了核心硬件支撑，有助于解决AI算力扩张带来的能耗与成本瓶颈。
资本层面，熵旋芯智近期完成多轮融资布局。公司此前已获得英诺资本、海贝资本及君杉资本的联合投资，目前第三轮融资已进入最终阶段。多轮资本注入将主要用于加速存算一体芯片的研发迭代与量产准备，推动技术从实验室向产业端的转化。
业内人士指出，MRAM因其非易失性、高密度及低功耗特性，被视为下一代存储技术的有力竞争者。熵旋芯智将MRAM与存算一体架构结合的创新路径，有望在AI算力需求持续增长的背景下，为数据中心、边缘计算等场景提供更高效的解决方案。
