随着人工智能领域对算力的需求不断增长，高带宽内存（HBM）正朝着堆叠层数更多、运行速度更快的方向加速迭代。然而，这一发展进程也带来了一个棘手的问题——发热，它已成为影响产品稳定性的关键阻碍。
为攻克这一难题，SK海力士于近日宣布推出了一项名为“iHBM”的控温散热存储技术。该技术通过在高带宽内存封装内部直接集成一体化冷却元件，从结构层面入手，有效解决了散热问题。
iHBM技术的核心在于SK海力士新研发的冷却元件“ICE”。这是一种采用绝缘且高导热性的硅基材料制成的元件。在传统HBM产品中，主要依靠热量从核心芯片向外传导的间接散热方式。而iHBM技术则另辟蹊径，直接在发热最为集中的D2D PHY区域嵌入ICE元件，为该区域构建了专用的热量排出通道。
经过实际测试，与传统的散热方案相比，iHBM技术的热阻降低了30%以上。这意味着在高温、高负载等严苛的使用环境中，产品运行的稳定性能够得到有力保障，减少了因过热导致的性能下降或故障等问题。
在量产方面，iHBM技术采用了已在市场中广泛验证的先进MR - MUF晶圆级封装工艺。这种工艺成熟可靠，能够实现规模化稳定量产，为该技术的大规模应用提供了坚实基础。
iHBM技术还具备良好的设计兼容性。它与客户现有的系统级封装环境能够较好地适配，客户无需对现有设计进行大规模改动，就可以直接部署该技术。这大大降低了实际导入的技术门槛，有助于iHBM技术更快地在市场中推广应用。
SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品中。高性能计算及AI数据中心等超高集成度、高带宽应用场景对散热管理有着极高的要求，iHBM技术有望在这些领域发挥重要作用，满足其散热需求。
