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骁龙8 Gen4旗舰芯片曝光:3nm工艺,频率或达4.3GHz

   日期:2024-03-04     来源:科技号    作者:itcg    浏览:770    我要评论    

IT采购网3月4日消息,近日,关于高通骁龙下一代旗舰芯片骁龙8Gen4的传闻不绝于耳。据悉,该芯片有望在不久的将来与我们见面,而关于其性能参数的猜测更是引发了广泛关注。

据IT采购网了解,骁龙8Gen4预计将在今年4月份完成设计阶段,并于6月份出货给OEM厂商进行测试。如果一切顺利的话,该芯片将在9月份投入规模量产,并随后正式发布。这将是高通首款基于3nm工艺打造的芯片,由台积电代工生产。

骁龙8 Gen4有望飙到4.3GHz!单核功耗可达10W

在性能方面,有传闻称骁龙8Gen4的最高频率有望达到惊人的4.3GHz。然而,也有观点认为这一频率几乎难以实现,即便能够做到,也只能维持很短的瞬间,并且单个核心的功耗可能高达10W级别,这对于手机来说无疑是难以承受的。因此,更合理的加速频率可能是3.8GHz,这与苹果A17Pro的最高水平相当,也相当于骁龙X Elite的常规频率。与骁龙8 Gen3相比,这一频率仍然高出了多达500MHz。

当然,目前骁龙8Gen4仍处于设计阶段,高通肯定会尝试各种不同的规格和参数组合,以探寻其最大潜力,并最终确定最合适的方案。同时,成本问题也是高通需要考虑的重要因素之一,毕竟骁龙8Gen3的售价已经达到了约200美元的水平。无论如何,我们都期待着骁龙8 Gen4的正式发布,以及它将为手机市场带来的新变革。

 
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