IT采购网2月24日消息，据韩媒Sedaily报道，三星在半导体工艺领域取得重大进展，正朝着2纳米技术节点迈进，并有望在未来击败其主要竞争对手。目前，三星晶圆代工厂(SamsungFoundry)正在积极开发名为SF2 GAAFET的先进工艺。
据IT采购网了解，三星已经与高通深化了合作关系。高通计划采用三星代工厂最新的全栅极(GAA)工艺技术，以优化和开发下一代ARM Cortex-XCPU。这意味着，高通可能正在评估三星的2纳米SF2 GAAFET工艺，以备用于未来遥远的骁龙8 Gen 5芯片组。
另一方面，三星的LSI部门也在积极行动，据传他们正在开发采用2纳米工艺的"Exynos2600"系统芯片设计。不过，此前有消息称，三星正在开发的配备10核CPU集群的Exynos 2500芯片组，虽然将接替Exynos2400，但不太可能使用2纳米工艺进行量产，因为这种技术预计要到2026年才能投入使用。
此外，援引ETNews的报道，高通公司已向三星和台积电提出了2纳米样品的请求。然而，这项技术更可能用于未来的骁龙8 Gen 5，而非即将面世的骁龙8Gen 4。
在2纳米工艺的竞争中，三星似乎已经领先于台积电。据报道，三星已经获得了第一个客户——一家名为PreferredNetworks(PFN)的日本初创公司。通过增强其自家的Exynos芯片，三星有望降低对高通骁龙芯片的依赖。这背后的一个重要原因是，高通公司不断提高其高端SoC的定价，而三星则希望通过2纳米工艺进一步降低这种依赖。
