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美光发布1β DDR5 DRAM:峰值速度达7200 MT/s,性能大幅提升

   日期:2023-10-17     作者:itcg    浏览:467    我要评论    

IT采购网10月11日消息,美光公司今日发布了令人瞩目的新闻,宣布进一步拓展其1β(1-beta)工艺节点技术,并推出全新的16GbDDR5内存产品。

根据美光的公告,1β DDR5 DRAM已经开始面向数据中心和个人电脑用户提供。这款内存的峰值速度可达惊人的7200MT/s,为用户提供了更出色的性能和效率。

据IT采购网了解,这款创新的DDR5内存采用了高级的high-kCMOS器件技术,以及4相时钟和时钟同步(clock-sync)技术。相较于上一代产品,它的性能提高了50%,每瓦性能提高了33%。这一技术突破使得1βDDR5 DRAM成为了数据中心和客户端应用的理想选择。

这一新型1β DDR5 DRAM产品线提供了4800 MT/s至7200 MT/s的模块密度,以满足不同需求的数据中心和客户端应用。

美光核心计算设计工程集团公司的副总裁Brian Callaway强调了这一发展的重要性,他表示:“1β DDR5DRAM的大规模生产和可用性标志着行业迈向了一个重要的里程碑。我们与生态系统合作伙伴和客户的紧密协作将加速这些高性能内存产品的普及。”

此外,美光的1β技术还支持多种基于内存的解决方案,包括使用16Gb、24Gb和32Gb DRAM芯片的DDR5RDIMM和MCRDIMM,以及使用16Gb和24Gb DRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。16GbDDR5内存产品将通过直销和渠道合作伙伴的方式销售,为广大用户提供更多选择。

之前的报道曾提到,行业分析机构TechInsights在拆解iPhone 15 Pro后发现,其中内部采用了美光最新的超高密度D1β(D1b)LPDDR516Gb DRAM芯片,这标志着美光首次进军D1β领域,为移动设备性能提升做出了重要贡献。

 
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